इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे आणि सर्किट्स - (EC3353) युनिट I सेमीकंडक्टर डिव्हाइसेस PN जंक्शन डायोड, जेनर डायोड, BJT, MOSFET, UJT - रचना, ऑपरेशन आणि VI वैशिष्ट्ये, प्रसार आणि संक्रमण कॅपेसिटन्स - रेक्टिफायर्स - हाफ वेव्ह आणि पूर्ण वेव्हग्युलेटर, झीव्हेव्ह्युलेटर. (अध्याय - 1) युनिट II एम्पलीफायर्स लोड लाइन, ऑपरेटिंग पॉइंट, बीजेटी आणि एमओएसएफईटीसाठी बायसिंग पद्धती, बीजेटी लहान सिग्नल मॉडेल - सीई, सीबी, सीसी अॅम्प्लीफायर्सचे विश्लेषण - लाभ आणि वारंवारता प्रतिसाद -एमओएसएफईटी लहान सिग्नल मॉडेल - सीएस, सीजीचे विश्लेषण आणि स्त्रोत अनुयायी - लाभ आणि वारंवारता प्रतिसाद - उच्च वारंवारता विश्लेषण. (अध्याय - 2, 3, 4) युनिट III मल्टीस्टेज अॅम्प्लीफायर्स आणि डिफरेंशियल अॅम्प्लीफायर कॅसकोड अॅम्प्लीफायर, डिफरेंशियल अॅम्प्लीफायर - कॉमन मोड आणि डिफरन्स मोड विश्लेषण - MOSFET इनपुट स्टेज - ट्यून केलेले अॅम्प्लीफायर्स आणि फ्रिक्वेंसी रिस्पॉन्स - नेयूटिन. (अध्याय - 5, 6) युनिट IV फीडबॅक अॅम्प्लीफायर्स आणि ऑसिलेटर्स नकारात्मक फीडबॅकचे फायदे - व्होल्टेज / करंट, मालिका , शंट फीडबॅक अॅम्प्लिफायर्स - सकारात्मक फीडबॅक - दोलनांची स्थिती, फेज शिफ्ट - विएन ब्रिज, हार्टले, कोलरीपीस्टॉलर्स (अध्याय - 7, 8) युनिट व्ही पॉवर अॅम्प्लीफायर आणि डीसी/डीसी कन्व्हर्टर्स पॉवर अॅम्प्लिफायर्स - क्लास ए-क्लास बी-क्लास एबी-क्लास सी-पॉवर मॉसफेट-टेम्परेचर इफेक्ट - क्लास एबी पॉवर अॅम्प्लिफायर मॉसफेट वापरून - डीसी/डीसी कन्व्हर्टर्स , बूस्ट, बक-बूस्ट विश्लेषण आणि डिझाइन. (अध्याय - 9)